LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器。LMG3522R030/LMG3522R030-Q1集成有硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns 之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 产品
类型
安装风格
封装 / 箱体
激励器数量
输出端数量
输出电流
电源电压-最小
电源电压-最大
配置
上升时间
下降时间
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Texas Instruments 栅极驱动器 Automotive 650-V 30- m? GaN FET with int
数据表
280库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT VQFN-52 2.8 ns 22 ns - 40 C + 150 C LMG3522R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 栅极驱动器 Automotive 650-V 30- m? GaN FET with int
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

Power Switch ICs High Side Switch SMD/SMT VQFN-52 1 Output 50 mA 7.5 V 18 V - 40 C + 125 C LMG3522R030 Reel
Texas Instruments 栅极驱动器 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
数据表
Driver ICs - Various Half-Bridge SMD/SMT VQFN-52 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting 4.3 ns 22 ns - 40 C + 125 C LMG3522R030 Reel