STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk