PD55008S-E

STMicroelectronics
511-PD55008S-E
PD55008S-E

制造商:

说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
23 周 预计工厂生产时间。
最少: 400   倍数: 400
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥69.5628 ¥27,825.12

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
REACH - SVHC:
N-Channel
Si
4 A
40 V
1 GHz
17 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10
Tube
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 52.8 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD55008-E
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
单位重量: 1.190 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99