STAC3932B

STMicroelectronics
511-STAC3932B
STAC3932B

制造商:

说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
28 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 80   倍数: 80
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥995.2362 ¥79,618.90

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
20 A
250 V
250 MHz
24.6 dB
580 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
STAC-244B
Bulk
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 3 S to 5 S
Pd-功率耗散: 625 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: STAC3932B
工厂包装数量: 80
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
单位重量: 2.100 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STAC RF DMOS 晶体管

意法半导体 提供多种 RF DMOS 功率晶体管,用于从 1MHz 到 250MHz 频率范围的应用,如调频广播、工业、科学和医学应用。意法半导体提供多种 RF DMOS 功率晶体管,它们采用从 28 到 150V 电源电压工作。它们具有高峰值功率(高达 1.2kW)和高耐用性(无穷:1 的电压驻波比)。STAC® 气隙具有更强大的散热性和 RF 性能,可靠性一流。
了解更多