4G/5G低噪声放大器

英飞凌科技4G/5G低噪声放大器设计用于LTE和5G，具有宽频率范围。4G/5G低噪声放大器增益步进具有增益和线性度，可进行调整以增加动态系统范围，并适应不断变化的干扰情况。

结果: 5
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 工作频率
工作电源电压
工作电源电流
增益
NF—噪声系数
类型
安装风格
封装 / 箱体
技术
P1dB - 压缩点
OIP3 - 三阶截点
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
数据表
11,542库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 15,000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 射频放大器 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G
数据表
4,500库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
数据表
7,445库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 12,000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 12,000
倍数： 12,000
卷轴: 12,000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 12,000
倍数： 12,000
卷轴: 12,000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel