芯片衰减器和终端器

Molex 芯片衰减器和终端器是RF衰减器,可在所有温度条件下均匀降低RF功率。这些温度响应型芯片旨在降低高温下的信号衰减,提供信号平衡应用所需的最佳响应性能。这些衰减器包含电路、接收器、上下变频器和相位匹配阵列。表面贴装 (SMT) 型电阻终端器可实现RF功率耗散。这些设备的工作频率在8GHz至18GHz之间,衰减值在1dB至10dB之间。这些电阻器适用于多种应用和解决方案。这些设备非常适合航空航天、汽车、国防和军事以及电信应用。

结果: 15
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 衰减 最大频率 阻抗 通道数量
Molex 衰减器 50 OHM 5 W GOLD RES TERMINATION CHIP 150库存量
最低: 1
倍数: 1
dB 10 GHz 50 Ohms, 100 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 1 dB 8 GHz SILVER
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
1 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 2 dB 8 GHz SILVER
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
2 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 3 dB 8 GHz SILVER
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
3 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 8 dB 8 GHz SILVER
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
8 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 10 dB 8 GHz SILVER
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
10 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 2 dB 8 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
2 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 3 dB 8 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
3 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 8 dB 8 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
8 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 10 dB 8 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
10 dB 8 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 1 dB 18 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
1 dB 18 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 2 dB 18 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
2 dB 18 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 8 dB 18 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
8 dB 18 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 ATTENUATOR CHIP 10 dB 18 GHz TIN
250预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
10 dB 18 GHz 50 Ohms 1 Channel
Molex 衰减器 50 OHM 5 W TIN RES TERMINATION CHIP
150预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
dB 10 GHz 50 Ohms, 100 Ohms 1 Channel