HMC341低噪声放大器芯片

Analog Devices HMC341低噪声放大器芯片设计用作GaAs MMIC低噪声放大器 (LNA),工作频率范围为24GHz至30GHz。由于尺寸较小 (1.51mm²),设计人员可轻松将芯片集成到多芯片模块 (MCM) 中。HMC341采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3V (30mA) 单个偏置电源时提供13dB增益,噪声系数为2.5dB。所有数据均采用50Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1mil)、最小长度0.31mm (<12mils) 的焊线连接。HMC341非常适合用于毫米波点对点无线电、LMDS以及VSAT和SATCOM应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 工作频率 工作电源电压 工作电源电流 增益 NF—噪声系数 类型 安装风格 封装 / 箱体 技术 P1dB - 压缩点 OIP3 - 三阶截点 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Analog Devices 射频放大器 lo Noise amp SMT, 21 - 29 GHz

21 GHz to 29 GHz 3 V 35 mA 13 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT QFN-12 GaAs 8.5 dBm 19 dBm - 40 C + 85 C HMC341 Cut Tape
Analog Devices 射频放大器 Sample,I.C., amp, 24-30 GHz, Die

24 GHz to 30 GHz 3 V 30 mA 13 dB 2.9 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 6 dBm 16 dBm - 55 C + 85 C HMC341 Gel Pack
Analog Devices 射频放大器 lo Noise amp SMT, 21 - 29 GHz

3 V Low Noise Amplifiers SMD/SMT QFN-12 Si - 40 C + 85 C HMC341 Reel
Analog Devices 射频放大器 lo Noise amp SMT, 21 - 29 GHz

Low Noise Amplifiers SMD/SMT QFN-12 Si HMC341 Reel