Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 271
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL 408库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP 83库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 95 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 15 dB 250 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP 413库存量
1,000预期 2026/9/14
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 100 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT SOT1483-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP 48库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 250 mOhms, 370 mOhms 600 MHz to 960 MHz 18.6 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 174 mOhms, 250 mOhms 600 MHz to 960 MHz 19 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD 179库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 107 mOhms, 155 mOhms 617 MHz to 960 MHz 17.8 dB 850 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-1230-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY 74库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY 45库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL 80库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL 78库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/REEL 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65 mOhms, 111 Ohms 2.11 GHz to 2.18 GHz 15.7 dB 570 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP 87库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 90.1 mOhms, 155.8 mOhms 2.496 GHz to 2.69 GHz 13.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 97库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 6.4 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-stage power MMIC 45库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC 19库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 28 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 29 dB 49.6 dBm + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL 70库存量
100预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70/TO270/REEL 59库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 17.8 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/TO270/REEL 54库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25SG/TO270/REEL 100库存量
200预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FE/SOT539/TRAY
607在途量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S100G/TO270/REEL
1,000预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 143 mOhms 1.5 GHz 16 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel