Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 204
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor 无库存交货期 16 周
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor 无库存交货期 16 周
最低: 60
倍数: 60

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor 无库存交货期 16 周
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor 无库存交货期 16 周
最低: 60
倍数: 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor 无库存交货期 16 周
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY 无库存交货期 16 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
219库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 300

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4.2 GHz 36 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PE/REELDP

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHG/SOT1248/REEL

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHS/SOT539/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FEG/SOT1248/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFE/ACC-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C Screw Mount ACC-1230-6F-3-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFES/ACC-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R

Dual N-Channel LDMOS 75 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29.8 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel