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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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结果: 204

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R ART2K5TFUSJ Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 ART2K5TFUSJ Mouser 零件编号 94-ART2K5TFUSJ 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	75 V	100 mOhms	1 MHz to 400 MHz	29.8 dB	2.5 kW		+ 225 C	SMD/SMT	ACC-1230-6F-2-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R ART2K5TPUY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 ART2K5TPUY Mouser 零件编号 94-ART2K5TPUY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	75 V	106 mOhms	1 MHz to 400 MHz	28..5 dB	2.5 kW		+ 225 C	SMD/SMT	OMP-1230-6F-2-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHG/SOT1214/REEL ART700FHGJ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 ART700FHGJ Mouser 零件编号 94-ART700FHGJ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHG/SOT1214/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	55 V	171 mOhms	1 MHz to 450 MHz	28.6 dB	700 W		+ 225 C	SMD/SMT	SOT1214C-5	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PE/OMP780/REEL ART800PEY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 ART800PEY Mouser 零件编号 94-ART800PEY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PE/OMP780/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	200 mOhms	1 MHz to 650 MHz	29.2 dB	800 W		+ 225 C	SMD/SMT	OMP-780-4F-1-5	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL B10G1819N10DLX Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10G1819N10DLX Mouser 零件编号 94-B10G1819N10DLX 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		1.805 GHz to 1.88 GHz	32 dB	10 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL B10G1819N10DLZ Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10G1819N10DLZ Mouser 零件编号 94-B10G1819N10DLZ 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		1.805 GHz to 1.88 GHz	32 dB	10 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL B10G2022N10DLX Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10G2022N10DLX Mouser 零件编号 94-B10G2022N10DLX 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		2.11 GHz to 2.17 GHz	30.5 dB	10 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL B10G2022N10DLZ Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10G2022N10DLZ Mouser 零件编号 94-B10G2022N10DLZ 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		2.11 GHz to 2.17 GHz	30.5 dB	10 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP B10G2324N10DLX Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10G2324N10DLX Mouser 零件编号 94-B10G2324N10DLX 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		2.3 GHz to 2.4 GHz	31.3 dB	10 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP B10G2324N10DLZ Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10G2324N10DLZ Mouser 零件编号 94-B10G2324N10DLZ 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		2.3 GHz to 2.4 GHz	31.3 dB	10 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP B10G2327N55DZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B10G2327N55DZ Mouser 零件编号 94-B10G2327N55DZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		2.3 GHz to 2.7 GHz	31.2 dB	46.8 dBm		+ 200 C	SMD/SMT	QFN-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP B10G2527N10DLZ Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10G2527N10DLZ Mouser 零件编号 94-B10G2527N10DLZ 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		2.5 GHz to 2.7 GHz	30 dB	10 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G3336N16DL/LGA/REEL B10G3336N16DLX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B10G3336N16DLX Mouser 零件编号 94-B10G3336N16DLX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G3336N16DL/LGA/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		3.3 GHz to 3.6 GHz	35 dB	16 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G3336N16DL/LGA/REEL B10G3336N16DLZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B10G3336N16DLZ Mouser 零件编号 94-B10G3336N16DLZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G3336N16DL/LGA/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		3.3 GHz to 3.6 GHz	35 dB	16 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP B10G4750N12DLZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B10G4750N12DLZ Mouser 零件编号 94-B10G4750N12DLZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		4.7 GHz to 5 GHz	30 dB	12 W		+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL B10H0608N40DX Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10H0608N40DX Mouser 零件编号 94-B10H0608N40DX 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	48 V		600 MHz to 800 MHz	34 dB	46.9 dBm	- 40 C	+ 120 C	SMD/SMT	LGA-34	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL B10H0608N40DYZ Ampleon 受限供货情况新产品	制造商零件编号 B10H0608N40DYZ Mouser 零件编号 94-B10H0608N40DYZ 新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	48 V		600 MHz to 800 MHz	34 dB	46.9 dBm	- 40 C	+ 120 C	SMD/SMT	LGA-34	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL B10H0710N40DX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B10H0710N40DX Mouser 零件编号 94-B10H0710N40DX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL	数据表	受限供货情况		LDMOS	52 V		700 MHz to 1 GHz	35 dB	47 dBm	- 40 C	+ 120 C	SMD/SMT	LGA-34	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP B11G1822N60DX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G1822N60DX Mouser 零件编号 94-B11G1822N60DX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		1.8 GHz to 2.2 GHz	32 dB	48.5 dBm		+ 125 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP B11G1822N60DYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G1822N60DYZ Mouser 零件编号 94-B11G1822N60DYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		1.8 GHz to 2.2 GHz	32 dB	48.5 dBm		+ 200 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP B11G2327N71DX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G2327N71DX Mouser 零件编号 94-B11G2327N71DX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		2.3 GHz to 2.7 GHz	33.5 dB	49.5 dBm		+ 200 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP B11G3338N81DX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G3338N81DX Mouser 零件编号 94-B11G3338N81DX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		3.3 GHz to 3.8 GHz	38 dB	49 dBm		+ 200 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP B11G3338N81DYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G3338N81DYZ Mouser 零件编号 94-B11G3338N81DYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		3.3 GHz to 3.8 GHz	38 dB	49 dBm		+ 200 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP B11G3742N81DX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G3742N81DX Mouser 零件编号 94-B11G3742N81DX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP	数据表	受限供货情况		LDMOS	65 V		3.7 GHz to 4.2 GHz	36 dB	48.5 dBm		+ 200 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY BLA9G1011L-300GU Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLA9G1011L-300GU Mouser 零件编号 94-BLA9G1011L-300GU	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY	数据表	受限供货情况	N-Channel	LDMOS	65 V	43 mOhms	1.03 GHz to 1.09 GHz	19.5 dB	300 W		+ 225 C	Screw Mount	SOT502F-3	Tray