Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 271
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FEG/SOT1248/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFE/ACC-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C Screw Mount ACC-1230-6F-3-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFES/ACC-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R

Dual N-Channel LDMOS 75 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29.8 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R

Dual N-Channel LDMOS 75 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29.8 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R

Dual N-Channel LDMOS 75 V 106 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28..5 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHG/SOT1214/REEL

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT1214C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PE/OMP780/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 32 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 32 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 30.5 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 30.5 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 31.3 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 31.3 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.2 dB 46.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP

LDMOS 65 V 2.5 GHz to 2.7 GHz 30 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G3336N16DL/LGA/REEL

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel