Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 271
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G3336N16DL/LGA/REEL
数据表

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 4.7 GHz to 5 GHz 30 dB 12 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
数据表

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
数据表

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
数据表

LDMOS 52 V 700 MHz to 1 GHz 35 dB 47 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 125 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.8 GHz 38 dB 49 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.8 GHz 38 dB 49 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4.2 GHz 36 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106.7 mOhms, 211.9 mOhms 1.452 GHz to 1.492 GHz 15 dB 350 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 215 mOhms, 323 mOhms 1.805 GHz to 2.025 GHz 15 dB 160 W + 225 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel