Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 204
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
数据表

LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 1.3 GHz 19 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF984PS/SOT1121/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 180 mOhms 30 MHz to 860 MHz 22.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989ES/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms, 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 20 dB 1 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989S/SOT1275/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989/SOT1275/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel