Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 204
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD
数据表

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD
数据表

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 28.5 dB 48.4 dBm + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 728 MHz to 821 MHz 17.8 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 30 dB 8 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1920-08AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.88 GHz to 2.025 GHz 26.8 dB 39.6 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2022-08AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 29 dB 39.2 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2324-08AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 29 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3336-12AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 35.5 dB 40.9 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3336-14AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 31 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3438-16AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 29.5 dB 42 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3538-12AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 36 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3842-16AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.8 GHz to 4.2 GHz 28 dB 40.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30G/TO270/REEL
数据表

N-Channel Si 1.4 uA 108 V 400 MHz to 860 MHz + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30G/TO270/REEL
数据表

N-Channel Si 1.4 uA 108 V 400 MHz to 860 MHz + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 1.2 Ohms 400 MHz to 860 MHz 20.2 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10G/TO270/REEL
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel