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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY BLC10G15XS-301AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G15XS-301AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G15XS301AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	106.7 mOhms, 211.9 mOhms	1.452 GHz to 1.492 GHz	15 dB	350 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP BLC10G16XS-600AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G16XS-600AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G16XS600AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	65.3 mOhms, 111 mOhms	1.427 GHz to 1.518 GHz	17.4 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD BLC10G18XS-301AVTYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-301AVTYZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18X301AVTYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	135 mOhms, 210 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.6 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD BLC10G18XS-301AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-301AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS301AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	135 mOhms, 210 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.6 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD BLC10G18XS-301AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-301AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS301AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	135 mOhms, 210 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.6 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD BLC10G18XS-360AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-360AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS360AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	88 mOhms, 148 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.4 dB	360 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD BLC10G18XS-360AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-360AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS360AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	88 mOhms, 148 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.4 dB	360 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY BLC10G18XS-400AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-400AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS400AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	74 mOhms, 128 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.7 dB	400 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY BLC10G18XS-551AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-551AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS551AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	62 mOhms, 108 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16.1 dB	550 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL BLC10G18XS-552AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-552AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS552AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	62 mOhms, 108 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16.1 dB	550 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY BLC10G18XS-552AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-552AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS552AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	62 mOhms, 108 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16.1 dB	550 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP BLC10G18XS-602AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-602AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS602AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP BLC10G18XS-602AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-602AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS602AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP BLC10G19XS-551AVY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-551AVY Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS-551AVY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	65.26 mOhms, 126.67 mOhms	1.93 GHz to 2 GHz	15 dB	160 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1258-5-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD BLC10G19XS-551AVZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-551AVZ Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS-551AVZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	65.26 mOhms, 126.67 mOhms	1.93 GHz to 2 GHz	15 dB	160 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1258-5-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL BLC10G19XS-551AVYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-551AVYZ Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS551AVYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-551AV/OMP-1230/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	65.26 mOhms, 126.67 mOhms	1.93 GHz to 2 GHz	15 dB	160 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1258-5-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD BLC10G19XS-600AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-600AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS600AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.93 GHz to 1.995 GHz	15 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD BLC10G19XS-600AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-600AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS600AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.93 GHz to 1.995 GHz	15 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL BLC10G19XS-601AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-601AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS601AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.93 GHz to 1.995 GHz	15 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD BLC10G19XS-601AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-601AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS601AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.93 GHz to 1.995 GHz	15 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL BLC10G22XS-301AVTYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-301AVTYZ Mouser 零件编号 94-BLC10G22X301AVTYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	121 mOhms, 243 mOhms	2.1 GHz to 2.17 GHz	15 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL BLC10G22XS-301AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-301AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G22XS301AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	121 mOhms, 243 mOhms	2.1 GHz to 2.17 GHz	15 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY BLC10G22XS-301AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-301AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G22XS301AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	121 mOhms, 243 mOhms	2.1 GHz to 2.17 GHz	15 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY BLC10G22XS-400AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-400AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G22XS400AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	74 mOhms, 128 mOhms	2.11 GHz to 2.2 GHz	16.3 dB	400 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL BLC10G22XS-401AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-401AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G22XS401AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	107 mOhms, 170 mOhms	2.11 GHz to 2.2 GHz	15 dB	400 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel