Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 204
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/REEL
数据表

Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLL3H0914L-700/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel GaN SiC 50 V 35 mOhms 900 MHz to 1.4 GHz 17 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLL3H0914LS-700/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel GaN SiC 50 V 35 mOhms 900 MHz to 1.4 GHz 17 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
数据表

N-Channel GaN SiC 774 uA 150 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.4 dB 30 W + 225 C SMD/SMT DFN-6 Reel