Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 271
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-600A/SOT993/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 48 V 107 mOhms, 203 mOhms 616 MHz to 960 MHz 17.5 dB 600 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1250-2-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 107 mOhms, 203 mOhms 616 MHz to 960 MHz 18 dB 600 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1250-4-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 107 mOhms, 203 mOhms 616 MHz to 960 MHz 18 dB 600 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1250-4-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 107 mOhms, 203 mOhms 616 MHz to 960 MHz 18 dB 600 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1250-4-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-60P/SOT1273/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 48 V 1.328 Ohms 400 MHz to 1 GHz 16.3 dB 60 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 48 V 1.328 Ohms 400 MHz to 1 GHz 16.3 dB 60 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
数据表

LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 1.3 GHz 19 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF984PS/SOT1121/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 180 mOhms 30 MHz to 860 MHz 22.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989ES/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms, 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 20 dB 1 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989S/SOT1275/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989/SOT1275/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD
数据表

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD
数据表

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 28.5 dB 48.4 dBm + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 728 MHz to 821 MHz 17.8 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 30 dB 8 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1920-08AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.88 GHz to 2.025 GHz 26.8 dB 39.6 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2022-08AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 29 dB 39.2 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel