CML Micro MWT 系列 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 18
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Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
封装 / 箱体
封装
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
90库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
50库存量
最低： 10
倍数： 10
卷轴: 10
GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
40库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 220 mA 12 GHz 10 dB 26 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

GaAs 26 GHz 19 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

GaAs 240 mA to 280 mA 18 GHz 13 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

GaAs 310 mA to 360 mA 12 GHz 13 dB 30.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
10库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 9 周
最低： 10
倍数： 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

GaAs 12 GHz 12 dB 22 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表

GaAs 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk