CML Micro MWT-7F 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
Id-连续漏极电流
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
封装 / 箱体
封装
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表

GaAs 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk