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Guerrilla RF 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	输出功率	最大工作温度	安装风格	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die Guerrilla RF GRF0020D GRF0020D Guerrilla RF 受限供货情况工厂特别订单	制造商零件编号 GRF0020D Mouser 零件编号 459-GRF0020D 工厂特别订单	Guerrilla RF	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die	数据表			受限供货情况			GaN-on-SiC	1.27 mA	150 V	0 Hz to 7 GHz	30 W	+ 225 C	SMD/SMT	Waffle
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die Guerrilla RF GRF0030D GRF0030D Guerrilla RF 受限供货情况工厂特别订单	制造商零件编号 GRF0030D Mouser 零件编号 459-GRF0030D 工厂特别订单	Guerrilla RF	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die	数据表			受限供货情况			GaN-on-SiC	1.93 mA	150 V	0 Hz to 7 GHz	50 W	+ 225 C	SMD/SMT	Waffle

Guerrilla RF 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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