MACOM RF晶体管

结果: 211
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
数据表
40预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
数据表
50预期 2026/10/13
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 150 MHz 45 W - 65 C + 150 C 17 dB Tray
MACOM PH1214-25M
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,25W,28V,1.20-1.40GHz
数据表
16预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Bipolar Power Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 7 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36265-2 Si 960 MHz to 1.6 GHz 200 W + 225 C 18.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36275-4 Si 1.2 GHz to 1.4 GHz 700 W + 225 C 16 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 2 MHz to 175 MHz 120 W 13 dB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 500
倍数： 500

RF Bipolar Transistors 355J-2 Bipolar Power Si 1.15 GHz - 65 C + 200 C
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 150 MHz 150 W - 65 C + 150 C 17 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 14 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 333-04 Si 500 MHz 100 W - 65 C + 150 C 8.8 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,20-500MHz,28V,10W
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Screw Mount Ceramic-2 Bipolar Si 2.7 GHz to 2.9 GHz 110 W + 200 C
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40
RF MOSFET Transistors SMD/SMT 319-07 Si 100 MHz to 500 MHz 40 W - 55 C + 150 C 10 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.805 GHz to 1.88 GHz 190 W + 200 C 15.5 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.805 GHz to 1.88 GHz 190 W + 200 C 15.5 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248H-4 Si 2.62 GHz to 2.69 GHz 30 W + 225 C 15.5 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248H-4 Si 2.62 GHz to 2.69 GHz 30 W + 225 C 15.5 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 2.01 GHz to 2.025 GHz 140 W + 225 C 16 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 2.01 GHz to 2.025 GHz 140 W + 225 C 16 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 2.495 GHz to 2.69 GHz 25 W + 225 C 20 dB Reel