MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 139
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors 177库存量
250预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB 559库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 500 mA 65 V 500 MHz 18 dB 2 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 305A-01 Tray


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz 18库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 12 A 65 V 175 MHz 13 dB 60 W + 200 C Screw Mount


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet 27库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 65 V 150 MHz 15 dB 150 W + 200 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB 225库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 900 mA 65 V 400 MHz 11 dB 5 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB 18库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 32 A 65 V 175 MHz 12 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB 72库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 500 MHz 13.5 dB 20 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB 18库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 12 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 100 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 306库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

N-Channel Si 10 mA 65 V 2 Ohms 900 MHz to 2.7 GHz 19.5 dB 5 W + 225 C SMD/SMT SON-10 Reel, Cut Tape, MouseReel


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz 17库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 30 MHz to 90 MHz 13 dB 8 W + 200 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB 70库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 1 A 65 V 500 MHz 18 dB 4 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 249-06 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB 8库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
MACOM DU2810S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz 51库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 2.8 A 65 V 175 MHz 13 dB 10 W + 200 C Screw Mount


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz 22库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 24 A 65 V 175 MHz 13 dB 20 W + 200 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM MRF175GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS 5库存量
最低: 1
倍数: 1

Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB 700库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 2.5 A 65 V 400 MHz 16 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB 801库存量
400预期 2026/2/24
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 6 A 125 V 175 MHz 18 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg 190库存量
80预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount 244-4 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB 327库存量
60预期 2026/2/24
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 65 V 400 MHz 12 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB 253库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 5 A 65 V 400 MHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS 72库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 13 A 65 V 200 MHz 9 dB 125 W - 65 C + 200 C Screw Mount 211-07
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB 5库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4.5 A 65 V 150 MHz 17 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 41库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

Si 1 mA 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 7库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 1.4 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel