MACOM RF晶体管

结果: 209
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数量 RoHS 产品类型
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封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
卷轴: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248G-4/2 Si 1.805 GHz to 1.99 GHz 150 W + 225 C 20.5 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
卷轴: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37288G-4/2 Si 1.805 GHz to 1.99 GHz 220 W + 225 C 20.5 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 无库存
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 无库存
最低： 250
倍数： 250
卷轴: 250
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 无库存
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 无库存
最低： 250
倍数： 250
卷轴: 250

RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
数据表
无库存交货期 38 周

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 150 MHz 150 W - 65 C + 150 C 17 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
数据表
无库存交货期 36 周

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
数据表
无库存交货期 28 周

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 14 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
数据表
无库存交货期 36 周

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
否
RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
否
RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
否
RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
否
RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 2.515 GHz to 2.675 GHz 240 W + 225 C 13.5 dB Bulk
MACOM DU1215S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,12V,2-175MHz
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 40
倍数： 20

RF MOSFET Transistors Si
MACOM DU2805S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,2-175 MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 40
倍数： 20

RF MOSFET Transistors Si
MACOM DU28200M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 200 W + 200 C 13 dB
MACOM DU2840S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 20

RF MOSFET Transistors Si
MACOM DU2880T
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

RF MOSFET Transistors Si
MACOM DU2880U
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20
RF MOSFET Transistors Si
MACOM LF2805A
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

RF MOSFET Transistors Si
MACOM MAPR-001011-850S00
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,850W,1025-1150MHz,50V,10us,1%
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Si
MACOM MAPR-001090-350S00
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,350Wpk,1.09GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Si
MACOM MAPR-000912-500S00
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Si Tray
MACOM MAPRST0912-350
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Ceramic Bipolar Power Si 1.215 GHz + 200 C Tray