MACOM RF晶体管

结果: 209
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 封装
MACOM GTRB267008FC-V1-R0
MACOM 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RF JFET Transistors Reel
MACOM GTRB267008FC-V1-R2
MACOM 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RF JFET Transistors Reel
MACOM PTNC210604MD-V2-R5
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM PTVA082407NF-V2-R5
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM PXAE261908NF-V1-R5
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM LTA/PTNC210604MD-V2
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB

RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA082808NF-V1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM LTA/PTRA093818NF-V1
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA093818NF-V1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM LTN/PTNC210604MD-V2
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included
RF MOSFET Transistors Si