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射频与无线产品
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NXP RF晶体管
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安装风格
封装 / 箱体
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工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
RF Bipolar Transistors
RF MOSFET Transistors
重置
Screw Mount
SMD/SMT
Through Hole
重置
DFN-16
HVSON-16
NI-1230
NI-1230-4
NI-1230GS-4
NI-1230H-4
NI-1230H-4S
NI-780
NI-780-4
NI-780GS-4L
NI-780H-2
NI-780S
OM-1230-4
OM-1230G-4
OM-780-2
OM-780-4
PLD-1.5
PLD-1.5-4
PLD-1.5W
SOT-143B-4
重置
Bipolar Wideband
重置
Si
SiGe
重置
1 MHz to 2 GHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
136 MHz to 520 MHz
136 MHz to 941 MHz
450 MHz to 1.5 GHz
470 MHz to 860 MHz
720 MHz to 960 MHz
728 MHz to 3.7 GHz
764 MHz to 940 MHz
764 MHz to 941 MHz
960 MHz to 1.215 GHz
960 MHz to 1.215 MHz
960 MHz to 1.4 GHz
1 GHz
1.03 GHz to 1.09 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
≤
≥
重置
4 W
4.9 W
6.5 W
6.5 dBm
7 dBm
7.3 W
8 W
10 W
10 dBm
10.5 dBm
13.5 dBm
14 W
15.7 W
22 dBm
28.8 dBm
32 W
33 W
57 W
70 W
100 W
≤
≥
重置
- 65 C
- 55 C
- 40 C
≤
≥
重置
+ 125 C
+ 150 C
≤
≥
重置
13.3 dB
15 dB
15.2 dB
15.7 dB
16 dB
16.2 dB
16.9 dB
17.2 dB
17.5 dB
17.7 dB
18 dB
18.5 dB
19 dB
19.2 dB
19.7 dB
20 dB
20.3 dB
20.4 dB
20.9 dB
21 dB
重置
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Reel
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重置
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技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
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封装
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
BFU550XRVL
NXP Semiconductors
1:
¥3.9663
无库存交货期 99 周
寿命结束
制造商零件编号
BFU550XRVL
Mouser 零件编号
771-BFU550XRVL
寿命结束
NXP Semiconductors
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
数据表
无库存交货期 99 周
剪切带
1
¥3.9663
10
¥2.9154
100
¥1.6498
500
¥1.11644
1,000
查看
卷轴
10,000
¥0.61246
1,000
¥0.85202
2,500
¥0.75258
5,000
¥0.65314
10,000
¥0.61246
购买
最低:
1
倍数:
1
卷轴
:
10,000
详细信息
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-143R-4
Bipolar Wideband
Si
11 GHz
13.5 dBm
- 40 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
NXP Semiconductors MRFE6VP5150GNR1
MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors
500:
¥444.5194
无库存交货期 99 周
制造商零件编号
MRFE6VP5150GNR1
Mouser 零件编号
841-MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
数据表
无库存交货期 99 周
卷轴
500
¥444.5194
购买
最低:
500
倍数:
500
卷轴
:
500
详细信息
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
TO-270WBG-4
Si
1.8 MHz to 600 MHz
150 W
- 40 C
+ 150 C
26.1 dB
Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
NXP Semiconductors MRFE8VP8600HR5
MRFE8VP8600HR5
NXP Semiconductors
50:
¥1,951.3518
无库存交货期 16 周
制造商零件编号
MRFE8VP8600HR5
Mouser 零件编号
841-MRFE8VP8600HR5
NXP Semiconductors
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
卷轴
50
¥1,951.3518
100
查看
100
报价
购买
最低:
50
倍数:
50
卷轴
:
50
详细信息
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-1230H-4
Si
470 MHz to 860 MHz
140 W
- 40 C
+ 150 C
21 dB
Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
NXP Semiconductors AFM912NT1
AFM912NT1
NXP Semiconductors
受限供货情况
制造商零件编号
AFM912NT1
Mouser 零件编号
771-AFM912NT1
NXP Semiconductors
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
数据表
受限供货情况
详细信息
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
DFN-16
Si
136 MHz to 941 MHz
15.7 W
- 40 C
+ 150 C
13.3 dB
Reel
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