Microchip 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C 无库存交货期 24 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 15 A 500 V 100 MHz 16 dB 400 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 36 A 170 V 175 MHz 16 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT SOE-4
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 无库存交货期 24 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 无库存交货期 24 周
最低: 30
倍数: 30

Si Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 无库存交货期 24 周
最低: 25
倍数: 25

N-Channel Si 22 A 500 V 300 mOhms 45 MHz 15 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 无库存交货期 24 周
最低: 25
倍数: 25

Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 无库存交货期 24 周
最低: 1
倍数: 1

Si Tube
Microchip Technology VRF141G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF141MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF151MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology VRF152MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF154FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF154FLMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF157FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF157FLMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 无库存交货期 30 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF161MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

N-Channel Si 20 A 180 V 150 MHz 24 dB 200 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 无库存交货期 30 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology DRF1311
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 1000 V 2000 W 30 MHz T4 无库存交货期 26 周
最低: 10
倍数: 10

Si Bulk
Microchip Technology VRF152G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF152GMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount