Microchip 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Microchip Technology DRF1310
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 500 V 2000 W 30 MHz T4
N-Channel Si 500 V 30 MHz
Microchip Technology DRF1310-CLASS-D
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 13.56 MHz Reference Design Kit