STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 91
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 130 V 175 MHz 15 dB 350 W + 200 C Screw Mount Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
数据表
21库存量
50预期 2026/3/30
最低： 1
倍数： 1

Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
数据表
93库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177MR-5 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
数据表
90库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
323库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

N-Channel Si 7 A 12.5 V 500 MHz 14.5 dB 25 W + 165 C SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 120
倍数： 120
卷轴: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 300
卷轴: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 300
卷轴: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 160
倍数： 160
卷轴: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

Si Bulk