STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 28 周
最低: 80
倍数: 80

Si Bulk
STMicroelectronics RF3L05200CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

N-Channel Si 28 V 945 MHz 16 dB 200 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF3L05400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

N-Channel Si 28 V 500 MHz 17 dB 380 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF5L08600CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 无库存交货期 23 周
最低: 400
倍数: 400

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

Si Bulk
STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray
STMicroelectronics RF5L051K5CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray
STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray
STMicroelectronics RF5L05500CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Reel
STMicroelectronics RF5L05750CF2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor

Si Reel
STMicroelectronics RF5L05950CF2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor

Si Reel
STMicroelectronics SD2931-14
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 .500 DIA 4-L W/FLG
Si Bulk
STMicroelectronics RF5L051K4CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray