STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
数据表
380库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
数据表
515库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2AG AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l
数据表
263库存量
最低： 1
倍数： 1

Si MAX257-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 150 A 750 W - 55 C + 175 C Tube