1200V CoolSiC™模块

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。

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封装 / 箱体
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1
Discrete Semiconductor Modules SiC


Infineon Technologies MOSFET模块 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
数据表
49库存量
48预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 二极管模块 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

Diode Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
数据表
40预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 12
倍数： 12

Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
数据表
无库存交货期 44 周
最低： 12
倍数： 12

IGBT Modules SiC, Si
Infineon Technologies 整流器 THYR / DIODE MODULE DK
数据表

Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard