1200V Trench XPT™ IGBT（带Sonic二极管）

Littelfuse 1200V沟槽式XPT™绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻，优化用于实现低开关损耗。Littelfuse 1200V沟槽式XPT IGBT（带Sonic二极管）具有大电流处理能力、高功率密度和反向并联sonic二极管。这些沟槽式XPT晶体管非常适合用于功率逆变器、电机驱动、功率因数校正 (PFC) 电路和电池充电器应用。

分离式半导体类型
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结果: 9
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封装 / 箱体
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYK85N120C4H1
数据表
971库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH40N120B4H1
数据表
341库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH40N120C4H1
数据表
363库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH55N120B4H1
数据表
315库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 模块 IXYN110N120B4H1
数据表
233库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT 模块 IXYN110N120C4H1
数据表
106库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT 模块 IXYN85N120C4H1
数据表
213库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH30N120C4H1
数据表
288预期 2026/6/19
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH55N120C4H1
数据表
630预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3