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360 W 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD BLC10G18XS-360AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-360AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS360AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD	数据表			受限供货情况			Dual N-Channel	LDMOS	65 V	88 mOhms, 148 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.4 dB	360 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD BLC10G18XS-360AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-360AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS360AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD	数据表			受限供货情况			Dual N-Channel	LDMOS	65 V	88 mOhms, 148 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.4 dB	360 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray

360 W 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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