550 W 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 9
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 97库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 6.4 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier 无库存
最低: 500
倍数: 500
: 500

Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 734 MHz to 821 MHz 18.2 dB 550 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray