|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
- CG2H80015D-GP4
- MACOM
-
10:
¥902.6553
-
60库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H80015D-GP4
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
|
|
60库存量
|
|
|
¥902.6553
|
|
|
¥902.1355
|
|
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查看
|
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报价
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最低： 10
倍数： 10
|
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|
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥54.1835
-
693库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT105R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693库存量
|
|
|
¥54.1835
|
|
|
¥42.1038
|
|
|
¥31.8434
|
|
|
¥30.7699
|
|
|
¥22.4192
|
|
|
¥18.9388
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG612QTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥40.6122
-
788库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-STDRIVEG612QTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
788库存量
|
|
|
¥40.6122
|
|
|
¥36.5555
|
|
|
¥31.3462
|
|
|
¥28.0353
|
|
|
查看
|
|
|
¥15.2211
|
|
|
¥23.4927
|
|
|
¥22.5774
|
|
|
¥18.0348
|
|
|
¥15.2211
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
- EPC23102
- EPC
-
1:
¥70.8849
-
3,096库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC23102
新产品
|
EPC
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
|
|
3,096库存量
|
|
|
¥70.8849
|
|
|
¥55.0084
|
|
|
¥51.0308
|
|
|
¥46.6464
|
|
|
查看
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|
|
¥39.8664
|
|
|
¥44.5785
|
|
|
¥43.3468
|
|
|
¥42.1829
|
|
|
¥39.8664
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7126GXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥6.3732
-
3,418库存量
|
Mouser 零件编号
726-1EDN7126GXTMA1
|
Infineon Technologies
|
栅极驱动器 LOW SIDE DRIVERS
|
|
3,418库存量
|
|
|
¥6.3732
|
|
|
¥4.4748
|
|
|
¥4.0115
|
|
|
¥3.503
|
|
|
查看
|
|
|
¥2.7911
|
|
|
¥3.2544
|
|
|
¥3.1188
|
|
|
¥2.9945
|
|
|
¥2.8702
|
|
|
¥2.7911
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 85 W (85-265 VAC)
- INN3270C-H215-TL
- Power Integrations
-
1:
¥33.7531
-
1,047库存量
|
Mouser 零件编号
869-INN3270C-H215-TL
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 85 W (85-265 VAC)
|
|
1,047库存量
|
|
|
¥33.7531
|
|
|
¥28.2048
|
|
|
¥25.9674
|
|
|
¥23.4136
|
|
|
查看
|
|
|
¥20.1818
|
|
|
¥22.2497
|
|
|
¥22.0802
|
|
|
¥20.7581
|
|
|
¥20.1818
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP65H480G4JSG-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥17.9444
-
1,475库存量
|
Mouser 零件编号
227-TP65H480G4JSG-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
1,475库存量
|
|
|
¥17.9444
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥7.6049
|
|
|
¥6.1811
|
|
|
¥4.5539
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.6613
|
|
|
¥5.3562
|
|
|
¥4.4409
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 60 W (85-265 VAC)
- INN3879C-H801-TL
- Power Integrations
-
1:
¥42.6801
-
1,457库存量
|
Mouser 零件编号
869-INN3879C-H801-TL
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 60 W (85-265 VAC)
|
|
1,457库存量
|
|
|
¥42.6801
|
|
|
¥33.1655
|
|
|
¥30.6004
|
|
|
¥27.7076
|
|
|
查看
|
|
|
¥24.8939
|
|
|
¥26.3855
|
|
|
¥25.5606
|
|
|
¥25.2329
|
|
|
¥24.8939
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 90 W (85-265 VAC)
- INN4075C-H185-TL
- Power Integrations
-
1:
¥32.4197
-
1,913库存量
|
Mouser 零件编号
869-INN4075C-H185-TL
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 90 W (85-265 VAC)
|
|
1,913库存量
|
|
|
¥32.4197
|
|
|
¥29.4478
|
|
|
¥28.2839
|
|
|
¥24.3967
|
|
|
查看
|
|
|
¥21.0971
|
|
|
¥23.8204
|
|
|
¥23.7413
|
|
|
¥21.2553
|
|
|
¥21.0971
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH27030S
- MACOM
-
1:
¥816.5832
-
165库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27030S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
165库存量
|
|
|
¥816.5832
|
|
|
¥656.3379
|
|
|
¥594.3348
|
|
|
¥594.3348
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥9,784.2971
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9库存量
|
|
|
¥9,784.2971
|
|
|
¥9,784.2971
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,223.9143
-
17库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA262711FAV2R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
17库存量
|
|
|
¥1,223.9143
|
|
|
¥985.7668
|
|
|
¥985.7668
|
|
|
¥947.731
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,784.1005
-
53库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA262701FAV2R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
53库存量
|
|
|
¥1,784.1005
|
|
|
¥1,506.5386
|
|
|
¥1,506.5386
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G03DBR2G
- NCP1568G03DBR2G
- onsemi
-
1:
¥15.8991
-
2,322库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
863-NCP1568G03DBR2G
NRND
|
onsemi
|
交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2,322库存量
|
|
|
¥15.8991
|
|
|
¥12.5995
|
|
|
¥11.7294
|
|
|
¥10.7689
|
|
|
查看
|
|
|
¥9.8988
|
|
|
¥10.3395
|
|
|
¥10.1587
|
|
|
¥9.9892
|
|
|
¥9.8988
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥101.4062
-
110库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3410R150RWHT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
|
|
110库存量
|
|
|
¥101.4062
|
|
|
¥79.6537
|
|
|
¥75.6874
|
|
|
¥69.2351
|
|
|
¥65.9242
|
|
|
查看
|
|
|
¥62.7828
|
|
|
¥61.7884
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
- LMG3411R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥119.5201
-
140库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3411R150RWHT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
|
|
140库存量
|
|
|
¥119.5201
|
|
|
¥94.2985
|
|
|
¥88.0044
|
|
|
¥81.8007
|
|
|
¥75.4388
|
|
|
查看
|
|
|
¥72.546
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
- LMG2656RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥92.5583
-
1,600库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2656RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
|
|
1,600库存量
|
|
|
¥92.5583
|
|
|
¥68.2407
|
|
|
¥65.5965
|
|
|
¥55.5847
|
|
|
查看
|
|
|
¥45.3243
|
|
|
¥54.5903
|
|
|
¥53.9349
|
|
|
¥53.2682
|
|
|
¥45.3243
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥55.7542
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥42.7253
|
|
|
¥39.5274
|
|
|
¥35.9566
|
|
|
查看
|
|
|
¥34.4763
|
|
|
¥33.8774
|
|
|
¥33.6966
|
|
|
¥32.0468
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3626ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥43.0078
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3626ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥43.0078
|
|
|
¥32.7587
|
|
|
¥30.2727
|
|
|
¥27.459
|
|
|
查看
|
|
|
¥26.1369
|
|
|
¥25.7301
|
|
|
¥25.5606
|
|
|
¥24.3176
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
- MAPC-A1501-AS000
- MACOM
-
1:
¥5,296.3891
-
13库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A1501-AS000
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
|
|
13库存量
|
|
|
¥5,296.3891
|
|
|
¥5,140.3248
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
- TP65H030G4PQS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥82.0493
-
345库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PQS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
|
|
345库存量
|
|
|
¥82.0493
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥45.991
|
|
|
¥42.5106
|
|
|
¥40.7817
|
|
|
¥37.4708
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥82.6369
-
1,077库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PRS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,077库存量
|
|
|
¥82.6369
|
|
|
¥56.161
|
|
|
¥46.3187
|
|
|
¥42.8496
|
|
|
¥40.3636
|
|
|
¥37.7985
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,300
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
¥85.6992
-
1,303库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PWS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,303库存量
|
|
|
¥85.6992
|
|
|
¥54.3417
|
|
|
¥46.895
|
|
|
¥41.2789
|
|
|
查看
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
¥82.3883
-
355库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT070R70HTO
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
355库存量
|
|
|
¥82.3883
|
|
|
¥56.50
|
|
|
¥42.4315
|
|
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¥34.6571
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¥34.578
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最低： 1
倍数： 1
:
1,800
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GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
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1:
¥56.6582
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675库存量
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新产品
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Mouser 零件编号
511-SGT080R70ILB
新产品
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STMicroelectronics
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GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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675库存量
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¥56.6582
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¥38.1375
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¥27.6285
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¥25.8883
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¥22.4983
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¥21.0971
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最低： 1
倍数： 1
:
3,000
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