GaN 半导体

结果: 797
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
EPC GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,901库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 1,882库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 3,607库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies 栅极驱动器 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,352库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies 栅极驱动器 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,371库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies 栅极驱动器 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,083库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2,678库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch 2,779库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
Power Integrations 交流/直流转换器 20 W (85-580 VAC) 1,440库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Power Integrations 交流/直流转换器 35 W (85-580 VAC) 1,592库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10库存量
最低: 10
倍数: 10

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr 1库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi NCP1568G04DBR2G
onsemi 交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,418库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Texas Instruments 栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 1,600库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 679库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 1,980库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,088库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies 栅极驱动器 CoolGaN Drive HB 600 V G5 45库存量
3,000预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch 2,774库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
Texas Instruments 栅极驱动器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri 2,586库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 9,680库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm 9,083库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES 8,546库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 4,059库存量
1,800预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1
: 1,800