|
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
- MSCSM120HM16CTBL3NG
- Microchip Technology
-
1:
¥3,713.0331
-
7库存量
|
Mouser 零件编号
579-SM120HM16CTBL3NG
|
Microchip Technology
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
|
|
7库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
- DMWSH120H90SM4
- Diodes Incorporated
-
1:
¥99.5078
-
125库存量
|
Mouser 零件编号
621-DMWSH120H90SM4
|
Diodes Incorporated
|
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
|
|
125库存量
|
|
|
¥99.5078
|
|
|
¥59.4719
|
|
|
¥59.3928
|
|
|
¥50.7031
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
电流隔离式栅极驱动器 High CMTI 2.5 kV 5 V UVLO single isolated driver with deglitch
- Si8271BBD-IS
- Skyworks Solutions, Inc.
-
1:
¥30.2727
-
103库存量
|
Mouser 零件编号
634-SI8271BBD-IS
|
Skyworks Solutions, Inc.
|
电流隔离式栅极驱动器 High CMTI 2.5 kV 5 V UVLO single isolated driver with deglitch
|
|
103库存量
|
|
|
¥30.2727
|
|
|
¥22.826
|
|
|
¥18.9388
|
|
|
¥18.1139
|
|
|
查看
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¥17.6958
|
|
|
¥17.1195
|
|
|
¥16.7127
|
|
|
¥16.2155
|
|
|
¥15.9669
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
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|
IGBT 模块 1200 V, 160 A booster IGBT module
- DF160R12W2H3F_B11
- Infineon Technologies
-
1:
¥751.6421
-
12库存量
|
Mouser 零件编号
641-DF160R12W2H3FB11
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 1200 V, 160 A booster IGBT module
|
|
12库存量
|
|
|
¥751.6421
|
|
|
¥663.1292
|
|
|
¥663.0501
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) SIC_DISCRETE
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥81.8007
-
26库存量
|
Mouser 零件编号
726-AIKBE50N65RF5ATM
|
Infineon Technologies
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) SIC_DISCRETE
|
|
26库存量
|
|
|
¥81.8007
|
|
|
¥56.0819
|
|
|
¥42.601
|
|
|
¥40.2054
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZH120R160M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥61.7093
-
13库存量
|
Mouser 零件编号
726-AIMZH120R160M1TX
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
13库存量
|
|
|
¥61.7093
|
|
|
¥38.4652
|
|
|
¥28.3743
|
|
|
¥24.3176
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
二极管模块 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
- DDB6U50N16W1RPBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥317.7108
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
726-DDB6U50N16W1RPBP
|
Infineon Technologies
|
二极管模块 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
|
|
20库存量
|
|
|
¥317.7108
|
|
|
¥212.327
|
|
|
¥199.9196
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 650 V, 50 A 3-level IGBT module
- FS3L50R07W2H3FB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥531.1226
-
13库存量
|
Mouser 零件编号
726-FS3L50R07W2H3FB1
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 650 V, 50 A 3-level IGBT module
|
|
13库存量
|
|
|
¥531.1226
|
|
|
¥427.0609
|
|
|
¥374.5385
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥182.9696
-
7库存量
-
480预期 2026/8/20
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IDWD25G200C5XKSA
新产品
|
Infineon Technologies
|
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
|
|
7库存量
480预期 2026/8/20
|
|
|
¥182.9696
|
|
|
¥136.6509
|
|
|
¥118.1189
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R034M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥92.3097
-
23库存量
-
1,500预期 2026/7/23
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMCQ120R034M2HXT
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
23库存量
1,500预期 2026/7/23
|
|
|
¥92.3097
|
|
|
¥63.28
|
|
|
¥59.551
|
|
|
¥50.624
|
|
|
¥50.624
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
750
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMTA65R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥86.0269
-
5库存量
-
2,000预期 2026/11/26
|
Mouser 零件编号
726-IMTA65R040M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
5库存量
2,000预期 2026/11/26
|
|
|
¥86.0269
|
|
|
¥58.647
|
|
|
¥43.0982
|
|
|
¥36.8041
|
|
|
¥32.6683
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥60.2968
-
21库存量
|
Mouser 零件编号
726-IMTA65R060M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
21库存量
|
|
|
¥60.2968
|
|
|
¥38.4652
|
|
|
¥30.2727
|
|
|
¥26.1369
|
|
|
¥21.8316
|
|
|
查看
|
|
|
¥24.2385
|
|
|
¥21.3457
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R020M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥201.7389
-
85库存量
-
240预期 2026/7/15
|
Mouser 零件编号
726-IMW120R020M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
85库存量
240预期 2026/7/15
|
|
|
¥201.7389
|
|
|
¥145.6683
|
|
|
¥116.4691
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥165.1834
-
480预期 2026/7/2
|
Mouser 零件编号
726-IMW120R030M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
480预期 2026/7/2
|
|
|
¥165.1834
|
|
|
¥105.2934
|
|
|
¥90.6599
|
|
|
¥84.7048
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R040M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥132.6733
-
173库存量
-
1,680在途量
|
Mouser 零件编号
726-IMW120R040M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
173库存量
1,680在途量
|
|
|
¥132.6733
|
|
|
¥85.6992
|
|
|
¥70.8058
|
|
|
¥68.2407
|
|
|
¥62.9523
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥96.1178
-
12库存量
-
720在途量
|
Mouser 零件编号
726-IMW120R060M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
12库存量
720在途量
在途量:
480 预期 2026/7/20
240 预期 2026/9/10
|
|
|
¥96.1178
|
|
|
¥69.4837
|
|
|
¥57.9012
|
|
|
¥51.6184
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R075M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥76.84
-
1库存量
-
480在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMW65R075M2HXKSA
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1库存量
480在途量
|
|
|
¥76.84
|
|
|
¥40.5331
|
|
|
¥32.5892
|
|
|
¥32.0129
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥93.7222
-
26库存量
-
960预期 2026/9/17
|
Mouser 零件编号
726-IMZ120R060M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
26库存量
960预期 2026/9/17
|
|
|
¥93.7222
|
|
|
¥62.8619
|
|
|
¥49.7991
|
|
|
¥47.234
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥67.2463
-
83库存量
-
1,920在途量
|
Mouser 零件编号
726-IMZ120R220M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
83库存量
1,920在途量
在途量:
960 预期 2027/2/25
960 预期 2027/4/1
|
|
|
¥67.2463
|
|
|
¥43.5954
|
|
|
¥33.5045
|
|
|
¥29.2783
|
|
|
¥28.3743
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥58.0707
-
352库存量
|
Mouser 零件编号
726-IMZ120R350M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
|
|
352库存量
|
|
|
¥58.0707
|
|
|
¥38.872
|
|
|
¥31.188
|
|
|
¥27.7076
|
|
|
¥24.5662
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R020M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥132.097
-
3库存量
-
480在途量
|
Mouser 零件编号
726-IMZA65R020M2HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
3库存量
480在途量
|
|
|
¥132.097
|
|
|
¥103.1464
|
|
|
¥89.0892
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMZA65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥147.3181
-
5库存量
-
720预期 2026/9/10
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMZA65R026M2HXKS
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
5库存量
720预期 2026/9/10
|
|
|
¥147.3181
|
|
|
¥83.2923
|
|
|
¥77.2581
|
|
|
¥68.0712
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 9A GATE DRIVERS LOW SIDE SIC
- IX4351NE
- IXYS Integrated Circuits
-
1:
¥26.216
-
302库存量
|
Mouser 零件编号
747-IX4351NE
|
IXYS Integrated Circuits
|
栅极驱动器 9A GATE DRIVERS LOW SIDE SIC
|
|
302库存量
|
|
|
¥26.216
|
|
|
¥19.9332
|
|
|
¥16.2946
|
|
|
¥15.3002
|
|
|
查看
|
|
|
¥14.7239
|
|
|
¥14.4753
|
|
|
¥14.0572
|
|
|
¥13.899
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
- SCT2450KEHRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥111.7457
-
15库存量
-
450预期 2026/7/27
|
Mouser 零件编号
755-SCT2450KEHRC11
|
ROHM Semiconductor
|
碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
|
|
15库存量
450预期 2026/7/27
|
|
|
¥111.7457
|
|
|
¥80.8967
|
|
|
¥56.50
|
|
|
¥56.4096
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET TO268 1.7KV 5.9A N CH SIC
- SCT2750NWCTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥61.6189
-
44库存量
-
1,600在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
755-SCT2750NWCTL1
新产品
|
ROHM Semiconductor
|
碳化硅MOSFET TO268 1.7KV 5.9A N CH SIC
|
|
44库存量
1,600在途量
在途量:
800 预期 2026/11/23
800 预期 2026/11/30
|
|
|
¥61.6189
|
|
|
¥40.3636
|
|
|
¥26.8827
|
|
|
¥23.4927
|
|
|
¥23.4927
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
800
|
|
|
