|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥108.1975
-
2,219库存量
-
4,000在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R025D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,219库存量
4,000在途量
在途量:
2,000 预期 2026/7/1
2,000 预期 2026/7/23
|
|
|
¥108.1975
|
|
|
¥74.1958
|
|
|
¥63.7772
|
|
|
¥58.7261
|
|
|
¥53.6863
|
|
|
¥47.8894
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG2652RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥101.0898
-
1,373库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2652RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,373库存量
|
|
|
¥101.0898
|
|
|
¥78.8627
|
|
|
¥73.3822
|
|
|
¥73.3822
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 50
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG3614REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥52.5224
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3614REQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,997库存量
|
|
|
¥52.5224
|
|
|
¥40.2845
|
|
|
¥37.2222
|
|
|
¥37.2222
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥52.5224
-
1,785库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624REQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,785库存量
|
|
|
¥52.5224
|
|
|
¥40.2845
|
|
|
¥37.2222
|
|
|
¥37.2222
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 50
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 Automotive 5A/5A dua l-channel gate driv
- UCC27624QDSDRQ1
- Texas Instruments
-
1:
¥14.4753
-
4,228库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-UCC27624QDSDRQ1
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 Automotive 5A/5A dua l-channel gate driv
|
|
4,228库存量
|
|
|
¥14.4753
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥9.6728
|
|
|
¥8.5993
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 200
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
- QPD1035L
- Qorvo
-
1:
¥3,044.5929
-
90库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1035L
Mouser 的新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
|
|
90库存量
|
|
|
¥3,044.5929
|
|
|
¥2,854.6512
|
|
|
¥2,188.584
|
|
|
¥2,188.584
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频放大器 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
- CMX90A705A6-R701
- CML Micro
-
1:
¥596.301
-
74库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
226-CMX90A705A6-R701
新产品
|
CML Micro
|
射频放大器 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
|
|
74库存量
|
|
|
¥596.301
|
|
|
¥534.6708
|
|
|
¥474.374
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
- TP65H100G4PS
- Renesas Electronics
-
1:
¥53.8445
-
720库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H100G4PS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
|
|
720库存量
|
|
|
¥53.8445
|
|
|
¥29.0297
|
|
|
¥26.1369
|
|
|
¥22.2497
|
|
|
¥20.7581
|
|
|
¥20.1027
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥21.7525
-
1,554库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-VIPERGAN50WTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1,554库存量
|
|
|
¥21.7525
|
|
|
¥16.2155
|
|
|
¥14.8934
|
|
|
¥13.3227
|
|
|
查看
|
|
|
¥11.4921
|
|
|
¥12.5769
|
|
|
¥12.1588
|
|
|
¥11.8311
|
|
|
¥11.4921
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
- EPC2152
- EPC
-
1:
¥75.6874
-
2,076库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2152
新产品
|
EPC
|
栅极驱动器 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
|
|
2,076库存量
|
|
|
¥75.6874
|
|
|
¥58.8165
|
|
|
¥54.5903
|
|
|
¥49.9573
|
|
|
¥46.4091
|
|
|
查看
|
|
|
¥48.3866
|
|
|
¥44.748
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
- IGB070S10S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥27.798
-
3,500库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGB070S10S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
|
|
3,500库存量
|
|
|
¥27.798
|
|
|
¥17.6167
|
|
|
¥12.5769
|
|
|
¥10.2604
|
|
|
查看
|
|
|
¥8.1134
|
|
|
¥10.0118
|
|
|
¥9.5937
|
|
|
¥8.1134
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
- IGB110S10S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥18.532
-
2,512库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGB110S10S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
|
|
2,512库存量
|
|
|
¥18.532
|
|
|
¥11.4921
|
|
|
¥8.1925
|
|
|
¥6.8365
|
|
|
¥5.3901
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.2602
|
|
|
¥6.1585
|
|
|
¥5.1076
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
- IGC019S06S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.0471
-
2,993库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC019S06S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
|
|
2,993库存量
|
|
|
¥38.0471
|
|
|
¥24.069
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
- IGC033S101XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.0471
-
3,653库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC033S101XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
|
|
3,653库存量
|
|
|
¥38.0471
|
|
|
¥24.069
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
- IGC037S12S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥37.6403
-
3,170库存量
-
10,000预期 2026/7/23
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGC037S12S1XTMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
|
|
3,170库存量
10,000预期 2026/7/23
|
|
|
¥37.6403
|
|
|
¥24.3176
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥12.3283
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.9691
-
2,304库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R055D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,304库存量
|
|
|
¥59.9691
|
|
|
¥39.1206
|
|
|
¥29.4478
|
|
|
¥27.9562
|
|
|
¥24.3967
|
|
|
¥22.7469
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥50.2963
-
2,689库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R080D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,689库存量
|
|
|
¥50.2963
|
|
|
¥32.3406
|
|
|
¥24.1481
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥17.9444
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥39.6178
-
2,661库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R110D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,661库存量
|
|
|
¥39.6178
|
|
|
¥25.312
|
|
|
¥18.532
|
|
|
¥16.046
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥12.9837
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥33.8322
-
2,667库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R140D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,667库存量
|
|
|
¥33.8322
|
|
|
¥21.0971
|
|
|
¥15.6279
|
|
|
¥12.9837
|
|
|
¥10.6672
|
|
|
¥10.5881
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥32.2615
-
4,511库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R140D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,511库存量
|
|
|
¥32.2615
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥14.803
|
|
|
¥12.1588
|
|
|
¥11.3339
|
|
|
¥9.8423
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.4927
-
4,825库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R200D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,825库存量
|
|
|
¥23.4927
|
|
|
¥14.3058
|
|
|
¥10.17
|
|
|
¥8.5202
|
|
|
¥6.6557
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.9552
|
|
|
¥7.6953
|
|
|
¥6.4975
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥20.3513
-
4,826库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R270D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,826库存量
|
|
|
¥20.3513
|
|
|
¥12.2379
|
|
|
¥8.6897
|
|
|
¥7.2433
|
|
|
¥5.6274
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.5879
|
|
|
¥6.4975
|
|
|
¥5.3901
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥70.8849
-
1,312库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R045D2ATMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
1,312库存量
|
|
|
¥70.8849
|
|
|
¥47.234
|
|
|
¥35.4029
|
|
|
¥34.8266
|
|
|
¥28.4534
|
|
|
¥28.3743
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥39.0415
-
1,555库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R110D2ATMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
1,555库存量
|
|
|
¥39.0415
|
|
|
¥24.6453
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥12.7351
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥110.9999
-
963库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGOT65R025D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
963库存量
|
|
|
¥110.9999
|
|
|
¥82.1397
|
|
|
¥68.4893
|
|
|
¥59.0538
|
|
|
¥49.7991
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
800
|
|
|
