Advanced Linear Devices MOSFET

结果: 109
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY
数据表
13库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
数据表
119库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
数据表
52库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
数据表
743库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
数据表
1,182库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
数据表
47库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 16 mA, 40 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
数据表
164库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA, 4.8 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Channel Array
数据表
53库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel Array
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 23 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
数据表
85库存量
450预期 2026/8/19
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube