IGI60L1111B1MXUMA1

Infineon Technologies
726-IGI60L1111B1MXUM
IGI60L1111B1MXUMA1

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Drive HB 600 V G5

寿命周期:
新产品:
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库存量: 45

库存:
45
可立即发货
在途量:
3,000
预期 2026/7/9
生产周期:
18
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥56.161 ¥56.16
¥43.2564 ¥432.56
¥40.0359 ¥1,000.90
¥36.4764 ¥3,647.64
¥34.8266 ¥8,706.65
¥33.7531 ¥16,876.55
¥32.9169 ¥32,916.90
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥29.6964 ¥89,089.20

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
SMD/SMT
TFLGA-27
- 40 C
+ 150 C
CoolGaN
商标: Infineon Technologies
配置: Inverting
下降时间: 35 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Gate Driver
产品类型: GaN FETs
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
类型: Half-Bridge
零件号别名: IGI60L1111B1M SP006060937
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已选择的属性: 0

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合规代码
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
奥地利
发货时,国家/地区可能会发生变化。

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