Advanced Linear Devices MOSFET

结果: 109
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V
数据表
3,684库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
数据表
45库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
数据表
53库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
数据表
39库存量
200预期 2026/4/9
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
46库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
37库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
数据表
46库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
数据表
154库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
数据表
1,548库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 40 mA, 16 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
数据表
27库存量
150预期 2026/2/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA, 2 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Channel Array
数据表
161库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad P-Channel Array
数据表
122库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
数据表
55库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
数据表
49库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
数据表
45库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 40 mA, 16 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube