Advanced Linear Devices MOSFET

结果: 109
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
32库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
数据表
47库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
数据表
176库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
数据表
50预期 2026/3/26
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 40 mA, 16 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
数据表
34预期 2026/3/4
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY
数据表
50预期 2026/3/4
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
数据表
150预期 2026/3/12
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
数据表
无库存交货期 1 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
数据表
交货期 3 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube