结果: 10
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
数据表
971库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
数据表
695库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
数据表
1,463库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-3PFM-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 3.7 A 1.5 Ohms - 6 V, + 22 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
数据表
102库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
数据表
322库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
数据表
759库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
数据表
297库存量
900预期 2026/2/24
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
数据表
6库存量
450预期 2026/6/25
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
数据表
92库存量
450预期 2026/5/20
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
数据表
23库存量
1,350在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement