面向Sub 6GHz 5G的GaN晶体管解决方案

Qorvo面向Sub 6GHz 5G的GaN晶体管解决方案是一系列氮化镓 (GaN) 分立晶体管产品。这些器件有芯片级和完整的解决方案可供选择,具有不同的功率、电压和频率等级。这些产品具有高GaN性能,采用方便的行业标准封装。这样可加快设计和制造速度,并受益于行业领先的可靠性。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V 54库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V 66库存量
500预期 2026/6/4
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W