LGA-8 GaN 场效应晶体管

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
通道模式
商标名
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
数据表
306库存量
5,000预期 2026/9/25
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
数据表
2,798库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
数据表
33库存量
8,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET