QFN-16 GaN 场效应晶体管

结果: 8
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
数据表
47库存量
50预期 2026/9/9
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
数据表
600库存量
900预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN
数据表
150库存量
500预期 2026/7/17
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 32 V 610 mA - 40 C + 85 C 13.8 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
数据表
700预期 2026/7/17
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
数据表
40预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 100 V 610 mA - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 .03-3GHz,5W,32V,50Ohm GaN RF I/P-Mtch T
数据表

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W