QFN-36 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 8
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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 313库存量
最低: 1
倍数: 1
: 300

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
216库存量
最低: 1
倍数: 1
: 300

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4.2 GHz 36 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 125 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.8 GHz 38 dB 49 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.8 GHz 38 dB 49 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4.2 GHz 36 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel