晶体管

结果: 1,923
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
STMicroelectronics MOSFET PTD HIGH VOLTAGE 1,992库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
数据表
689库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
数据表
963库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
数据表
457库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF


STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
数据表
2,440库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
853库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
数据表
997库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
数据表
1,038库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
数据表
540库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
数据表
486库存量
2,000预期 2026/10/9
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

MOSFETs
STMicroelectronics MOSFET N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
数据表
719库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
数据表
97库存量
最低： 1
倍数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 NPN
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 PNP
STMicroelectronics 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5 NPN


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
数据表
521库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
数据表
465库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
数据表
362库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
数据表
296库存量
1,200预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
数据表
409库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
数据表
261库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
数据表
367库存量
600预期 2026/7/31
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
数据表
499库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
517库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
481库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel