TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET

Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET是一款8引脚SMT功率MOSFET,设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。这些MOSFET具有改进的反向恢复特性,包括36ns的快速反向恢复时间和27nC的典型反向恢复电荷。TPH1400CQ5系列可降低开关电源中的功率损耗,从而提高同步整流应用的效率。Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET具有低漏极-源极导通电阻和低漏电流额定值,因此非常适合用于各种电力和工业应用。典型应用包括高效DC/DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、数据中心和通信基础系统。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Toshiba MOSFET 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm 9,980库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 90 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 38 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm 4,995库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 77 A 14.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape