C3M0160120D

Name: Wolfspeed C3M0160120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120D
Price: 56.19 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-C3M0160120D

制造商编号：

C3M0160120D

制造商：

Wolfspeed

说明：

碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial

数据表:

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	¥38.8268	¥388.27
	¥32.5666	¥3,907.99
	¥32.2276	¥16,436.08
	¥28.3065	¥71,332.38

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Wolfspeed
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	97 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Wolfspeed
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
单位重量:	6 g

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