OptiMOS™ 6 150V汽车级MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 150V汽车级MOSFET采用稳健设计,且经过增强型电气测试。该N沟道MOSFET符合AEC-Q101汽车应用标准,可提供175A或245A的漏极连续电流。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 5,438库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1,535库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 3,942库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1,904库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12) 1,607库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 1,611库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape