18 GHz GaN 场效应晶体管

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
数据表
产品评论
20库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
数据表
750预期 2026/9/15
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最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
数据表
产品评论
100库存量
最低： 100
倍数： 100

Die N-Channel
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
数据表
产品评论
交货期 16 周
最低： 50
倍数： 50

Die N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
数据表
产品评论
70库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C