STU6N65M2 系列 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 45库存量
3,000预期 2026/7/6
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET PTD HIGH VOLTAGE 无库存交货期 16 周
最低: 3,000
倍数: 3,000

Si Through Hole IPAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2.5 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube