Microchip IGBT 模块

结果: 335
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
数据表
2,091库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 3.3 V 128 A 100 nA 543 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
数据表
75库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 650 V 1.85 V 165 A 150 nA 430 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
数据表
45库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 100 A 500 nA 416 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP-3 - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227
数据表
37库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules 1.2 kV 1.7 V 153 A 600 nA 446 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT40GL120JU2
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.85 V 65 A 400 nA 220 W ISOTOP-4 - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APTGT50A120T1G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 277 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50H60T3G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Full Bridge 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT75DA60T1G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1
数据表
42库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 600 V 1.5 V 100 A 600 nA 250 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-D4
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Power Module Single 1.7 kV 1.7 V 1.06 kA 300 nA 2.8 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGT30H60T1G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Full Bridge 600 V 1.5 V 50 A 300 nA 90 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
数据表
38库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 140 A 400 nA 480 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 150 A SOT-227
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 215 A 600 nA 625 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
数据表
49库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 650 V 1.85 V 165 A 150 nA 430 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules Single 1.2 kV 3.2 V 123 A 600 nA 570 W ISOTOP-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 150 A SOT-227
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules 1.2 kV 1.7 V 215 A 600 nA 625 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 200 A SOT-227
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 600 V 1.5 V 283 A 600 nA 682 W SOT-227-4 - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 60 A SOT-227
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 600 V 2 V 112 A 100 nA 356 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A SOT-227
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules 1.2 kV 3.3 V 128 A 100 nA 543 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 100 A 500 nA 416 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Modules Quad 1.2 kV 2.05 V 50 A 150 nA 165 W SP1 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL3
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology APTGT200A120G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6C
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 280 A 500 nA 890 W SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL1
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL2
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C